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，出现量子限制斯塔克效应为规避这一效应，可选用图形化的生长方法，用MOCVD工艺生长高晶体质量半极性面氮化镓材料和量子阱结构这种量子阱结构存在两方面优势：一是，可以很好地实现长波长的高效发光半极性面的量子性结构MicroLED，随着电流诸如的增加，蓝光效果削弱很多，这意味着波长稳定性有显著的改善，因此更有利于显示二是，复合速率快半极性面MicroLED器件的载流子复合速率比极性面快一个数量级，如果把器件做得更小，调制带宽的速度会更高，这将有利于可见光通信的使用要制成氮化镓维。
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